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: WFF730,IRF730,FQP6N40C

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFF730 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: IRFZ44N,SFP50N06,50N06

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFP50N06 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: VISHAY,WFF2N60B,2N60B

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFF2N60B 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: FUJI,WFF640,640,IRF640,PH,飞利浦,电源

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFF640 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: AUK,美格纳,WFP12N65,12N65

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFP12N65 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: WS,WFP10N60,10N60

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFP10N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: 20N50,K2837,2837,24N50,富士MOS管,FUJI,焊机

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:K2837 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:3-5（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: MOSPEC,WFD5N50,5N50,安定器,830,IRF830

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFD5N50 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: 场效应管WFP3205,3205,IRF3205太阳能,电源用3205

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFP3205T 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: FQP7N60,WFP7N60,7N60,家用电器

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFP7N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: Tos,K2611S,2611S,9N90,焊机用MOS,2611

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:K2611S 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:L/功率放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:3-5（V）夹断电压:1（V）跨导:1（μS）极间电容:1（pF）低频噪声系数:1（dB）漏极电流:1（mA）耗散功率:1（mW）

: 场效应管WFP830,IRF830,830

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFP830 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: 场效应管WFP8N60B,驱动器

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFP8N60B 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: TO-220场效应管WFP20N50,20N50

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFP20N50 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: WFD2N60B,2N60,DPAK封装MOS管TO-252

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFD2N60B 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HI-IMP/高输入阻抗封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: Magnachip,WFD1N60,1N60,1A600V场效应管

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFD1N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: 场效应管WFF9N90,9N90,电力操作电源

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFF9N90 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: Fairchild,WFF20N60,20N60

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFF20N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:3-5（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: 场效应管WFW15N50,15N50,模块电源

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFW15N50 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）

: 场效应管WFW9N90,9N90,电源,TO-3P

品牌/商标:稳先(WINSEMI) 型号/规格:WFW9N90 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:HI-IMP/高输入阻抗封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4（V）夹断电压:0（V）跨导:0（μS）极间电容:0（pF）低频噪声系数:0（dB）漏极电流:0（mA）耗散功率:0（mW）